logo
Dobra cena.  w Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Do domu > produkty >
MOSFET sterownika silnika BLDC
>
JUYI JY16M Mosfet Power Controller Wysokiej Wydajności Przełącznik Trybu Zasilanie dla BLDC Motor Driver Board

JUYI JY16M Mosfet Power Controller Wysokiej Wydajności Przełącznik Trybu Zasilanie dla BLDC Motor Driver Board

Nazwa marki: JUYI
Numer modelu: JY16M
MOQ: 1 zestaw
Cena £: Zbywalny
Szczegóły opakowania: Worek PE + karton
Warunki płatności: T / T, L / C, Paypal
Szczegółowe informacje
Miejsce pochodzenia:
CHINY
Napięcie dren-źródło:
600 V
Napięcie bramka-źródło:
±30 V
Maksymalne rozpraszanie mocy:
33 W
Impulsowy prąd drenu:
16A
Zastosowanie:
Oświetlenie
Kształt:
kwadrat
Możliwość Supply:
1000 zestawów / dzień
Podkreślić:

pwm sterownik mosfet

,

sterownik krokowy mosfet

Opis produktu

Pakiet JY16M N Channel 600V TO220F-3
Tryb wzmocnienia MOSFET mocy dla sterownika silnika BLDC

OGÓLNY OPIS
JY16M wykorzystuje najnowsze techniki obróbki wykopu w celu osiągnięcia wysokiej komórki
gęstość i zmniejsza odporność na włamanie z wysoką powtarzalnością oceny lawinowej. Te
funkcje łączą się, aby ten projekt był wyjątkowo wydajnym i niezawodnym urządzeniem
używać w aplikacji przełączania mocy i wielu innych aplikacjach.


FUNKCJE
● 600V / 4A, R DS (ON) = 2,6 Ω @ V GS = 10V
● Szybkie przełączanie i odzyskiwanie całego ciała
● Doskonały pakiet zapewniający dobre odprowadzanie ciepła


APLIKACJE
● Oświetlenie
● Zasilacze impulsowe o wysokiej wydajności

Absolutne maksymalne wskaźniki (Tc = 25ºC, o ile nie zaznaczono inaczej)

Symbol Parametr Ocena Jednostka
V DS Napięcie źródła drenu 600 V
V GS Napięcie źródła bramki ± 30 V
I D Ciągły Dren
obecny
Tc = 25 ° C 4 ZA
Tc = 100 º C 2.9
I DM Pulsujący prąd spustowy 16 ZA
P D Maksymalna rozpraszanie mocy 33 W
T J T STG Temperatura łączenia i przechowywania
Zasięg
-55 do +150 º C
R θJC Odporność termiczna - skrzyżowanie z obudową 1.5 º C / W
R θJA Odporność termiczna - połączenie z otoczeniem 62


Charakterystyka elektryczna (Tc = 25ºC, o ile nie zaznaczono inaczej)

Symbol Parametr Warunki Min Typ Max Jednostka
Charakterystyka statyczna
BV DSS Drain-Source
Napięcie przebicia
V GS = 0 V, I DS = 250uA 600 V
I DSS Napięcie zerowej bramki
Drain Current
V DS = 600V, V GS = 0V 1 uA
I GSS Wyciek Bramy Ciała
obecny
V GS = ± 30V, V DS = 0V ± 100 nA
V GS (th) Próg bramki
Napięcie
V DS = V GS, I DS = 250uA 2.0 3.0 4.0 V
R DS (ON) Drain-Source
Oporność na stan
V GS = 10V, I DS = 4A 2.6 2.8 Ω


Charakterystyka elektryczna (Tc = 25ºC, o ile nie zaznaczono inaczej)

Symbol Parametr Warunki Min Typ Max Jednostka
Charakterystyka diody źródła drenu
V SD Dioda do przodu
Napięcie
V GS = 0 V, I SD = 2A 1.5 V
Trr Odwrotny czas odzyskiwania I SD = 4A
di / dt = 100A / us
260 ns
Qrr Opłata za odwrót 1.5 nC
Dynamiczna charakterystyka
R G Opór bramy V GS = 0 V, V DS = 0 V,
f = 1 MHZ
5 Ω
T d (on) Czas opóźnienia włączenia V DS = 300V,
R G = 25Ω,
I DS = 4A, V GS = 10V,
15 ns
Tr Czas narastania 48
T d (wyłączone) Wyłącz czas opóźnienia 28
T f Wyłącz czas opadania 35
C ISS Pojemność wejściowa V GS = 0V,
V DS = 25V,
f = 1,0 MHz
528 pF
C OSS Pojemność wyjściowa 72
C RSS Odwrotny przelew
Pojemność
9
Q g Total Gate Charge V DS = 480V, I D = 4A,
V GS = 10V
16 nC
Q gs Opłata za moc bramową 3.5
Q gd Drain-Drain Charge 7.1


POBIERZ JY16M INSTRUKCJA OBSŁUGI

JY16M.pdf