|
Szczegóły Produktu:
|
| Napięcie dren-źródło: | 40 V | Napięcie bramka-źródło: | ±20 V |
|---|---|---|---|
| Maksymalne rozpraszanie mocy: | 300 W | Impulsowy prąd drenu: | 125A |
| Szybkie przełączanie: | - Tak, tak. | Zastosowanie: | Obwody wysokiej częstotliwości |
| High Light: | wysokoprądowy sterownik mosfet,sterownik pwm mosfet |
||
JY15M N Channel 40V Enhancement Mode Power MOSFET dla sterownika silnika BLDC
OGÓLNY OPIS
JY15M wykorzystuje najnowsze techniki obróbki wykopu w celu osiągnięcia wysokiej komórki
gęstość i zmniejsza odporność na włamanie z wysoką powtarzalnością oceny lawinowej. Te
funkcje łączą się, aby ten projekt był wyjątkowo wydajnym i niezawodnym urządzeniem
używać w aplikacji przełączania mocy i wielu innych aplikacjach.
FUNKCJE
● 40V / 130A, R DS (ON) ≤3.1mΩ @ V GS = 10V
● Szybkie przełączanie i odzyskiwanie całego ciała
● W pełni scharakteryzowane napięcie i prąd lawinowy
● Doskonały pakiet zapewniający dobre odprowadzanie ciepła
APLIKACJE
● Przełączanie aplikacji
● Obwody mocno przełączane i wysokiej częstotliwości
● Zarządzanie energią dla systemów falowników
Dynamiczna charakterystyka
Odporność na R G Gate
V GS = 0 V, V DS = 0 V,
f = 1 MHZ
1,45 Ω
T d (on) Czas opóźnienia włączenia
V DS = 20 V, R G = 6Ω,
I DS = 30A, V GS = 10V,
R L = 28Ω
18
ns
Tr Czas narastania 15
T d (wyłączony) Czas opóźnienia wyłączenia 62
T f Wyłącz czas opadania 35
C Pojemność wejściowa ISS
V GS = 0V,
V DS = 20V,
f = 1,0 MHz
4500
Pojemność wyjściowa C OSS 790 pF
C RSS
Odwrotny przelew
Pojemność
250
Q g Total Gate Charge
V DS = 20 V, I D = 30 A,
V GS = 10V
78 85
Q gs Gate-Source Charge 30 nC
Q gd Brama-Drain-Charge 24 
POBIERZ JY15M INSTRUKCJA OBSŁUGI
Osoba kontaktowa: Ms. Lisa
Tel: +86-18538222869
